納米位移臺的定位誤差測量，是評估其精度與控制性能的關鍵環節。測量時需要使用高精度儀器和嚴格的實驗步驟。以下是常用的測量方法和流程說明：
一、常用測量方法
激光干涉儀法
原理：利用干涉條紋位移測出臺面實際位移，與理論指令位移對比。
特點：分辨率極高（可達亞納米級），是最常用的精度校準手段。
優點：可實時測量正反向位移誤差、滯回和非線性。
電容傳感器法
原理：通過檢測臺面與傳感器電極間電容變化，反映實際位移。
優點：適合短行程納米級位移臺，響應快，安裝方便。
缺點：受溫度與環境濕度影響較大。
光柵尺或位移編碼器法
原理：通過光柵標尺或編碼器讀數獲取位移。
優點：結構緊湊、適合多軸聯動測量。
缺點：分辨率略低于激光干涉儀。
掃描探針或顯微鏡標定法
原理：將納米位移臺與 AFM 或 SEM 等儀器配合，觀察已知結構的微位移響應。
優點：可同時評估定位誤差與成像精度。
缺點：測試時間較長，環境要求高。
二、測量步驟建議
建立基準坐標與零位
確保臺面在機械零點和軟件零點一致。
設定目標位移點
一般分為多個等間距點。
記錄實際位移值
通過干涉儀或傳感器實時讀取。
計算誤差
用“實際位移 – 理論位移”得到定位誤差。
重復多次測試
取平均值并繪制誤差曲線，可分析滯回與重復定位誤差。
三、結果分析
系統誤差：由標定誤差或非線性引起，可通過校準修正。
隨機誤差：由噪聲、溫度漂移或振動引起，可通過濾波和環境控制減小。
滯回誤差：反向移動時產生的誤差，可通過閉環控制補償。